Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Degradazione dovuta a elettroni caldi di dispositivi GaN HEMT |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Hot electron degradation in GaN HEMTs |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Questo assegno si propone di studiare i meccanismi dovuti a "elettroni caldi" mediante prove in diverse condizioni elettriche. Inoltre, l'assegnista applicherà le tecniche di test accelerato e analisi dei modi e meccanismi di guasto anche allo studio dell'affidabilità di rf MEMS. |
| Descrizione sintetica in inglese | This research grant aims at studying hot electron effects in GaN HEMTs by means of accelerated tests in various electrical conditions. Moreover, the post-doc candidate will apply accelerated testing and failure modes and mechanisms analysis to the study of the reliability of rf MEMS. |
| Data del bando | 17/07/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
All |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/wdyn/?IDsezione=7529 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| zanoni@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 02/08/2012 |
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| Come candidarsi | Other |