Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Metodi per lo studio di dispositivi su GaN basati sull'analisi della elettroluminescenza |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Electroluminescence tools for the study of GaN devices |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L'attività prevista per questo assegno prevede di applicare questa tecnica allo studio di dispositivi GaN HEMT, allo scopo di studiarne l'affidabilità e di verificare i meccanismi di guasto più pericolosi in condizioni operative. Inoltre, l'assegnista applicherà le tecniche di analisi di guasto allo studio di dispositivi MEMS rf |
| Descrizione sintetica in inglese | In this research project we will apply this technique to the study of GaN High Electron Mobility Transistors (GaN HEMTs) with the goal of studying their reliability by verifying which failure mechanisms present the highest risk in operating conditions. Moreover, the post-doc candidate will apply physical failure analysis techniques to the study of rf MEMS devices. |
| Data del bando | 17/07/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
All |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/wdyn/?IDsezione=7530 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegenria dell'Informazione- Università degli Studi di Padova |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| zanoni@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 02/08/2012 |
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| Come candidarsi | Other |