Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Realizzazione di una sorgente di radiazione nella regione dei THz operante a temperatura ambiente. |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Realization of an optical source in the THz region, working at room temperature |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto prevede la realizzazione di una sorgente di radiazione che emette nella regione dei THz in grado di operare a temperatura ambiente. L’emissione si ottiene tramite mescolamento ottico dell’emissione multiriga di un laser basato su cristalli disordinati in un elemento non lineare. In questa ottica verranno sia cresciuti e caratterizzati i cristalli disordinati opportunamente drogati con ioni trivalenti di terre rare, che realizzata la cavita’ laser che permettera’ di ottenere la sorgente THz. |
| Descrizione sintetica in inglese | The project goal is the realization of a radiation source, emitting in the THz region, that will work at room temperature. THz emission will be obtained by optical mixing on a non linear element of the multiwavelength emission produced by a solid state laser. The laser active medium will be a disordered crystal suitably doped with rare earths trivalent ions. Within the project frame few disordered crystals will be grown, and it will be realized the laser cavity that will generate the THz radiation. |
| Data del bando | 03/08/2012 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/2929_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Importo annuale | 30000 |
| Valuta | Euro |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Valutazione dei titoli e prova colloquio. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
Assessment of the titles and interview. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Prova colloquio, per le sole candidature presentate in conformità con il bando NANO AR 009/2012 PI, presso la sede dell’Istituto Nanoscienze – Piazza San Silvestro 12 – 56127 – Pisa, il giorno 12 Settembre 2012 alle ore 10:00 |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | Interview, only for applications submitted in conformity with call NANO AR 009/2012 PI, on September 12, 2012, at 10:00 a.m. at sede dell’Istituto Nanoscienze – Piazza San Silvestro 12 – 56127 – Pisa |
| Nome dell'Ente finanziatore | Istituto Nanoscienze (NANO) del CNR |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Pisa |
| Codice postale | 56127 |
| Indirizzo | Piazza San Silvestro 12 |
| Sito web | http://www.nano.cnr.it/ |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 30/08/2012 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |