Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo di software per la simulazione di dispositivi di nuova concezione per un'elettronica a basso consumo |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Modeling of novel device concepts for low-power electronics |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto di ricerca persegue lo studio di transistori di diversa concezione ad elevata efficienza energetica e caratterizzati da una transizione brusca dalla condizione OFF a quella ON e viceversa. Questa elevata pendenza consente infatti di ridurre la tensione di soglia e, con essa, quella di alimentazione dei circuiti fino a 0.5V, abbattendo così il loro consumo di potenza statica di almeno un ordine di grandezza. Il progetto si focalizza su due meccanismi fisici diversi: (i) il meccanismo di tunneling banda-banda che è alla base del funzionamento del transistore T-FET, (ii) un super-reticolo realizzato con una eterostruttura interposto tra il source e il canale nel dispositivo SL-FET. L'obbiettivo di questo progetto è quindi quello di sviluppare un codice che risolva in maniera autoconsistente l'equazione di Poisson tridimensionale e l'equazione del trasporto descritta con l'hamiltoniano k*p, in grado di descrivere accuratamente i rami immaginari della relazione di dispersione. |
| Descrizione sintetica in inglese | This project pursues the investigation of beyond-CMOS energy-efficient steep-subthreshold transistors, with the aim to reduce the operating voltage of nanoelectronic circuits down to sub-0.5V, and their static power consumption by one order of magnitude. The project focuses on two different ways to achieve this goal: (i) the band-to-band tunneling mechanism which is the basis of the T-FET, (ii) and a superlattice in the source extension realized with an heterostructure which is the basis of the SL-FET. Therefore the goal of this project is to develop a quantum-transport simulation tool accounting for the energy dispersion relationship in the bandgap, the multi-subband transport and the subband coupling, which will be based on the multi-subband k*p Hamiltonian self-consistently coupled with the full 3D Poisson equation. |
| Data del bando | 07/09/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO DI ECCELLENZA ARCES -CENTRO DI RICERCA SUI SISTEMI ELETTRONICI … |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| elena.bazzocchi@unibo.it | |
| Telefono | +39 0547 339239 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 24/09/2012 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |