Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Modellistica avanzata di dispositivi Tunnel-FET per un’elettronica a basso consumo |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Modeling and simulation of Tunnel-FET devices for energy-efficient electronics |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | In questo progetto di ricerca verrà affrontato lo studio e l’ottimizzazione del transistore Tunnel-FET che è uno dei dispositivi elettronici attualmente più studiati in letteratura come possibile candidato per una logica a basso consumo. Questo dispositivo è un diodo p-i-n con l'aggiunta del contatto di gate e in cui il tunnel banda-banda si verifica tra il source e il canale. Sebbene siano già apparse le prime dimostrazioni sperimentali, e malgrado il loro recente progresso, essi soffrono ancora di svariate limitazioni. Per questo motivo la modellistica e la simulazione giocano un ruolo determinante nella previsione delle prestazioni ottenibili da tali dispositivi. Tuttavia gli strumenti di simulazione tradizionali non sono adeguati per descriverne con accuratezza il funzionamento, in quanto il loro principio di funzionamento si basa sull’effetto tunnel banda-banda che è intrinsecamente un meccanismo quantomeccanico, non descrivibile con i modelli della meccanica classica. |
| Descrizione sintetica in inglese | In this research project will address the study and optimization of the Tunnel-FET transistor, which is one of the most studied electronic devices as a possible candidate to replace CMOS devices for energy-efficient electronics. This device is a PIN diode with the addition of the gate contact, and at large gate voltages band-to-band tunneling occurs at the source/channel junction. Although some experimental demonstrations have already been shown in the literature, and despite their recent progress, they still suffer from several limitations. For this reason, modeling and simulation play an important role in the prediction of the achievable performance. However, traditional simulation tools are not adequate to accurately describe their physical behaviour, as their operation principle is based on band-to-band tunneling which is inherently a quantum mechanism effect that cannot be described with classical models. |
| Data del bando | 07/09/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO DI ECCELLENZA ARCES -CENTRO DI RICERCA SUI SISTEMI ELETTRONICI … |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| elena.bazzocchi@unibo.it | |
| Telefono | +39 0547 339239 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 24/09/2012 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |