Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Simulazione di transistori in grafene ad effetto di campo e ad effetto tunnel con base in grafene |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Simulation of graphene field-effect transistors and tunnel transistors with graphene base |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Verranno simulati ed ottimizzati due tipi di dispositivi basati sul grafene: 1) transistore ad effetto di campo in grafene (GFET) per applicazioni analogiche ad alta frequenza, 2) transistore ad effetto tunnel con base in grafene (GBT) per applicazioni digitali. Quest’ultimo è un dispositivo di nuova concezione che richiede lo sviluppo di strumenti di simulazione ad hoc ed una nuova strategia di ottimizzazione. Per il GFET l’ottimizzazione riguarderà principalmente la saturazione delle caratteristiche d’uscita, che si può ottenere per mezzo dell’opportuna scelta dei contatti metallici di source/drain e dello spessore del dielettrico. Per il GBT si svilupperà uno strumento di simulazione per il trasporto quantistico basato sulle funzioni di Green di non equilibrio (NEGF), dapprima in una quindi in due dimensioni. Tale strumento sarà utilizzato per lo studio della fisica del dispositivo e per la sua ottimizzazione. |
| Descrizione sintetica in inglese | Two types of graphene-based devices will be simulated and optimized: 1) graphene field-effect transistors (GFET) for analog high-frequency applications, 2) tunnel graphene base transistors (GBT) for digital applications. The latter is a new device concept and requires the development of ad-hoc simulation tools and a new optimization strategy. For the GFET the optimization will concern primarily the saturation of the output characteristics, which can be achieved through the choice of suitable source/drain metal contacts and of the dielectric thickness. For the GBT a simulation tool will be developed for the quantum transport based on the Non-Equilibrium Green Functions (NEGF) method, first in one then in two dimensions. Such tool will be used for the understanding of the device physics and for its optimization. |
| Data del bando | 07/09/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO DI ECCELLENZA ARCES -CENTRO DI RICERCA SUI SISTEMI ELETTRONICI … |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| elena.bazzocchi@unibo.it | |
| Telefono | +39 0547 339239 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
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| Data di scadenza del bando | 24/09/2012 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |