Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Simulazione numerica, analisi e progetto di dispositivi optoelettronici a semiconduttore con materiali a pozzi quantici e punti quantici - Rif. 366/2012 |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | Numerical simulation, analysis and design of semiconductor optoelectronic devices based on quantum well and quantum dot materials - Ref. 366/2012 |
Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
Descrizione sintetica in italiano | La realizzazione di dispositivi optoelettronici con materiali quantum well e quantum dot è di estremo interesse pratico in vari settori, da quello telecomunicazionistico a quello medicale. L’obiettivo del programma di ricerca è la simulazione numerica e l’analisi di tali dispositivi, con attenzione ad amplificatori ottici e sorgenti laser. Per i primi, lo scopo è la corretta modellizzazione quando sono impiegati materiali attivi a punti quantici, con particolare attenzione alla definizione di modelli capaci di descriverne il comportamento dinamico, che consentano l’estrazione di parametri caratteristici da misure sperimentali, per consentire la progettazione di nuove tipologie di amplificatori. Per le sorgenti ottiche l’obiettivo principale riguarda l’ottimizzazione di strutture multisezione a reazione distribuita in cui l'interazione tra il modo laserante ed un altro modo della cavità permette un aumento della banda di modulazione. |
Descrizione sintetica in inglese | The realization of optoelectronic devices based on quantum well and quantum dot materials is of extreme practical interest in different fields, from telecom to medical sectors. The goal of this project is the numerical simulation of such devices, with attention to optical amplifiers and laser sources. For the first ones, the objective is their correct modelling when quantum dot active materials are used, paying particular attention to the definition of models able to describe their dynamic behaviour, allowing for the extraction of characteristic parameters from experimental measurements, finally permitting the design of new amplifiers. Regarding the optical sources, the main goal is the optimization of multi-sections structures with distributed feedback where the interaction between the lasing mode and another cavity mode allows increasing the modulation bandwidth. |
Data del bando | 21/11/2012 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
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Paesi di residenza dei candidati |
All |
Nazionalità dei candidati |
All |
Sito web del bando | http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
More Experienced researcher or >10 yrs (Senior) |
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Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Il bando e la modulistica per partecipare alla valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | To apply for research grants fill out the form available at the following address: http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
Nome dell'Ente finanziatore | Politecnico di Torino |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Torino |
Sito web | http://www.polito.it/ |
ruo.persns@polito.it | |
Telefono | +39 011 090 6229 |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 03/12/2012 |
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Come candidarsi | Other |