Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Analisi numerica del degrado dovuto allo stress elettrico in dispositivi LNDMOS e LPDMOS di futura generazione |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Numerical analysis of HCS degradation in next generation LNDMOS and LPDMOS FETs |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto proposto riguarda lo studio di dispositivi MOSFET per applicazioni Smart Power di futura generazione. Verranno analizzate le principali caratteristiche elettriche, quali la resistenza di on specifica in funzione della tensione di breakdown e la safe-operating-area prima e dopo lo stress elettrico. Verrà effettuata un’ analisi numerica del comportamento dei dispositivi proposti in regime di alte tensioni e correnti con l’obiettivo di chiarire tutti i principali meccanismi fisici fino ad alte tensioni di drain e gate. Verrà sviluppato un modello analitico su base fisica della resistenza di on in regime di trasporto lineare, con il quale si potranno determinare le principali differenze nelle curve di corrente-tensione prima e dopo lo stress elettrico e correlarle con la localizzazione del degrado nel dispositivo. Infine, verranno effettuate simulazioni del degrado in presenza di portatori caldi utilizzando il tool commerciale SDevice di Synopsys. |
| Descrizione sintetica in inglese | In this project the high-voltage devices for next generation Smart-Power technology will be studied with respect to their major electrical characteristics, namely, specific on-resistance versus breakdown voltage and safe operating area before and after hot carrier stress. An extensive numerical investigation on the behavior of the proposed devices will be carried out, mainly focusing on the transistor operating in the high current–voltage regime, with the aim of clarifying the most relevant physical effects up to high drain and gate biases. An analytical model for the on resistance in the linear transport regime will be used to investigate the I-V curves of a set of fresh and stressed devices with the aim of extracting quantitative information on the localization of the HCS degradation within the device. Finally, the simulation of the HCS degradation will be carried out by using SDevice by Synopsys. |
| Data del bando | 26/11/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO DI ECCELLENZA ARCES -CENTRO DI RICERCA SUI SISTEMI ELETTRONICI … |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| elena.bazzocchi@unibo.it | |
| Telefono | +39 0547 339239 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 12/12/2012 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |