Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo di sistemi per il controllo e l’integrazione di MEMS e NEMS, di sensori, di sorgenti ottiche, di dispositivi per la diagnostica, di dispositivi di utilizzo industriale - Rif. 398/2012- |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Development of systems for control and integration of MEMS and NEMS, sensors, optical sources, devices for diagnostics and platforms for industrial application. -Rif. 398/2012 |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
| Descrizione sintetica in italiano | L’analisi e lo studio dei meccanismi di failure in dispositivi elettronici è un fattore chiave per l’affidabilità dei componenti elettronici. In fase di progettazione del dispositivo occorre individuare la fisica dei guasti adottando tecniche di caratterizzazione morfologica, composizionale, strutturale ed elettrica e correlare le anomalie riscontrate ai passi di processo adottati. In fase di produzione del dispositivo deve essere effettuato uno screening selettivo tramite tecniche di analisi visiva, radiografia, prove elettriche funzionali e parametriche, prove di ermeticità; nel caso di voler sottoporre il dispositivo a stress devono essere effettuate prove al alta temperatura, cicli termici, accelerazione del tempo di vita, burn in. Lo scopo dell’attività di ricerca è finalizzato alla analisi dei meccanismi di failure analysis sui dispositivi prodotto presso Vishay semiconductor nell’ambito della collaborazione in essere con il DISAT. |
| Descrizione sintetica in inglese | The analysis and the study of the mechanisms of failure in electronic devices is a key factor for the reliability of electronic components. In the design phase of the device it is necessary to identify the physics of failure by means of morphological, compositional, structural and electrical characterization in order to correlate the anomalies to the steps of the process. During the manufacturing of the device it is necessary to adopt a selective screening by visual analysis techniques, X-ray characterization, functional and parametric electrical tests, leak tests; in order to analyze the device under stress condition it is necessary to conduct tests at high temperature, thermal cycling, acceleration of life time, burn-in. The purpose of the research is aimed at the analysis of mechanisms of failure analysis on devices produced at Vishay semiconductor under the cooperation agreement in place with the DISAT |
| Data del bando | 10/12/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
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| Paesi di residenza dei candidati |
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| Nazionalità dei candidati |
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| Sito web del bando | http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
Il bando e la modulistica per partecipare alla valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | To apply for research grants fill out the form available at the following address: http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
| Nome dell'Ente finanziatore | Politecnico di Torino |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | tORINO |
| Sito web | http://www.polito.it/ |
| ruo.persns@polito.it | |
| Telefono | 39 011 090 6136 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 20/12/2012 |
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| Come candidarsi | Other |