Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Deposizione e caratterizzazione di materiali semiconduttori amorfi ottenuti da opportune miscele gassose |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | Deposition and characterization of amorphous semiconductor materials from suitable gaseous mixtures |
Settore Concorsuale | 03 - Scienze chimiche |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | In questo progetto, si intende studiare la chimica in fase gassosa delle specie ioniche e neutre coinvolte nei primi stadi di nucleazione per la deposizione di materiali con proprietà semiconduttive. Inoltre, poiché le leghe amorfe di silicio e/o germanio sono oggetto di crescente interesse per via delle loro molteplici possibili applicazioni e dei minori costi di produzione rispetto ai materiali in forma cristallina, si proseguirà lo studio dei processi attivati mediante raggi X di composti volatili contenenti elementi semiconduttori e droganti (Ge, C, Si, N). In particolare, si intende analizzare l'effetto di nuove variabili sperimentali sulle proprietà dei solidi prodotti mediante irraggiamento impiegando una cella che consenta la deposizione dei materiali su supporto riscaldato termoregolabile. Scopo di questo studio è l'indagine della correlazione tra le condizioni di deposizione, la composizione, le caratteristiche microstrutturali e le proprietà optoelettroniche. |
Descrizione sintetica in inglese | In this project we intend to study the ion and neutral gaseous species involved in the first nucleation steps for the deposition of materials having semiconductive properties. Moreover, as amorphous silicon and/or germanium alloys have grown in interest due to their possible electronic and photovoltaic applications and to their low cost compared with that of the crystalline form, we'll continue the investigation on processes occurring as a consequence of X-ray activation of gaseous mixtures of samples containing semiconductor and doping elements (Ge, C, Si, N). It is intended to estimate the effect of new experimental parameters on the properties of the solids obtained by X-Ray CVD using a cell that permits the deposition of materials on a thermally-tunable heated support. The aim of the present study is the investigation on the correlation between the deposition conditions and the composition, the microstructural characteristics and the opto-elettronic properties. |
Data del bando | 19/12/2012 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
All |
Nazionalità dei candidati |
All |
Sito web del bando | https://www.serviziweb.unito.it/albo_ateneo/ |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
Importo annuale | 19367 |
Valuta | Euro |
Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
Comprende vitto e spese di viaggio | yes |
Comprende il costo della ricerca | yes |
Altri costi in italiano | \ |
Altri costi in inglese | \ |
Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Il bando e le modalità di iscrizione/partecipazione alla selezione sono disponibili su https://www.serviziweb.unito.it/albo_ateneo/ |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | The call and how to apply are available at the following address: https://www.serviziweb.unito.it/albo_ateneo/ |
Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | per titoli e colloquio |
Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | qualifications and interview (in Turin) |
Nome dell'Ente finanziatore | Universita' degli Studi di Torino |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Turin |
Sito web | http://www.unito.it/ |
arearicerca-assegni@unito.it | |
Telefono | 0 |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 10/01/2013 |
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Come candidarsi | https://loginmiur.cineca.it/ |