Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Reliability studies of advanced low-power devices under electrical and radiation stress |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Reliability studies of advanced low power devices under electrical and radiation stresses |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | In questo progetto di ricerca verrà affrontato lo studio e l’ottimizzazione del transistore Tunnel-FET (TFET). La caratterizzazione sperimentale è un passo indispensabile per verificare le prestazioni e i limiti di questi nuovi componenti, e per controllare se i risultati ottenuti con modelli e simulazioni trovano riscontro nella realtà fisica. A tal fine, sarà necessario concepire nuovi tipi di misure o adattare quelle comunemente utilizzate per i MOSFET a questo nuovo tipo di dispositivi, con l’obiettivo di estrarre informazioni utili per migliorare la comprensione del loro funzionamento, identificare limitazioni (ed eventualmente superarle) e raffinare la modellistica, necessaria per una analisi dettagliata del comportamento fisico di tali componenti. |
| Descrizione sintetica in inglese | This research project aims to the study and optimization of the Tunnel-FET (T-FET) transistor. Experimental characterization is a fundamental step to verify the performances and limits of these innovative components, and to understand if the results achieved with models and simulations are confirmed to be realistic. To this aim, the development of new kinds of measurements or the adaptation of those commonly exploited for standard MOSFETs will be necessary for a detailed analysis of the physical behavior of T-FET devices, with the purpose of extracting useful information to improve the comprehension of these components, identify solutions (and possibly overcome them), and refine modeling. |
| Data del bando | 27/12/2012 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO DI ECCELLENZA ARCES -CENTRO DI RICERCA SUI SISTEMI ELETTRONICI … |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| elena.bazzocchi@unibo.it | |
| Telefono | +39 0547 339239 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 15/01/2013 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |