Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Simulazione continua del campo di deformazione generato da opportuna nanostrutturazione in sistemi eteroepitassiali di semiconduttori del gruppo IV |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Continuum modeling of the deformation field induced by suitable patterning in heteroepitaxial group-IV semiconductor growth |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
| Descrizione sintetica in italiano | il ruolo dell'unità teorica all'interno del progetto Cariplo Defcon4 (Nanostrutture per la deformazione controllata di strati e membrane di semiconduttori del gruppo IV) è duplice. Da un lato si occupa di simulare i campi di deformazione per le nanostrutture cresciute presso il laboratorio L-NESS di Como (confrontando i risultati ottenuti con le misure Raman effettuate presso il Dipartimento di Scienza dei Materiali), dall'altro suggerisce la nanostrutturazione ideale per ottenere i risultati desiderati (ad esempio; presenza di un forte campo tensile indotto dalle nanostrutture in silicio cresciuto su germanio, al fine di forzare un gap diretto). All'interno di questo schema, e beneficiando della comprovata esperienza del gruppo teorico nella modellizzazione di rilascio elastico o plastico, il futuro assegnista contribuirà in modo determinante, utilizzando approcci continui basati sulla risoluzione numerica del problema elastico, e modellizzando i fenomeni chiave di crescita. |
| Descrizione sintetica in inglese | the theoretical unit plays a twofold role within the Cariplo Project "Defcon4" (Nanostructures for the controlled deformation of group-IV layers and membranes). On one side, it provides direct simulation of the deformation fields induced by the nanostructures grown by the L-NESS laboratory in Como (checking predictions against Raman measurements performed at the Materials Science Department), on the other it suggests ideal nanostructuring in order to obtain the desired results (e.g. presence of a strong tensile field induced by the nanostructures in silicon grown on germanium, aiming at a direct-gap). Within this scheme, the winner of the present POST-DOC "assegno" shall play a key role, using continuum approaches based on the numerical solution of the elastic problem, and modeling the key processes taking place during growth. All this by exploiting the vast experience of the theoretical team in modeling both elastic and plastic relaxation. |
| Data del bando | 15/01/2013 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.unimib.it/link/news.jsp?8778013487333663785 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Università Bicocca |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Milano |
| Sito web | http://www.unimib.it |
| bandi.assegni_borse@unimib.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 05/02/2013 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |