Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Caratterizzazione di fenomeni dispersivi non lineari in GaN-FET per telecomunicazioni |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Experimental Characterization of dispersive phenomena in GAN-FET for telecommunications |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca dell’assegnista riguarderà lo studio e la caratterizzazione di fenomeni dispersivi, presenti in dispositivi elettronici in tecnologia Nitruro di Gallio. Attualmente, tali fenomeni limitano il pieno sfruttamento dei grandi vantaggi in termini di densità di potenza, banda ed efficienza offerti dalla tecnologia per applicazioni di potenza a microonde ed è quindi di grande importanza il loro studio e caratterizzazione. A tale scopo la misura in regime impulsivo si è rilevata essere molto promettente. L’attività di ricerca verterà sull’utilizzo e lo sviluppo di un setup per la caratterizzazione impulsiva con l’implementazione di nuove tecniche basate sull’utilizzo di impulsi doppi. Verranno quindi caratterizzati ed analizzati dispositivi forniti da partner industriali. E’ infine prevista la caratterizzazione di circuiti amplificatori basati su GaN con segnali realistici al fine di comprendere come i fenomeni dispersivi impattino sulle prestazioni nelle applicazioni. |
| Descrizione sintetica in inglese | The topic of the research activity will be the study and characterization of dispersive and memory phenomena in Gallium Nitride based electron devices. In some high frequency power applications these phenomena are limiting the full use of the great potential of this semiconductor technology in terms of power density, bandwidth and efficiency. The characterization of devices through pulsed stimuli has been shown to be a promising technique for the study and understanding of these phenomena. The research will focus on the improvement of a pulsed measurement setup with the implementation of new techniques based on the use of double pulses. GaN devices provided by industrial partners will then be characterized and analyzed. Furthermore, in order to understand how dispersive phenomena affect actual performances in applications, GaN based power amplifiers will be characterized with realistic signals. |
| Data del bando | 01/02/2013 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI" |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| a.villa@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 16/02/2013 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |