Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | PON01_00700 “AMBITION POWER” |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | PON01_00700 “AMBITION POWER” |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Dispositivi HEMT (high electron mobility transistor) in GaN per applicazioni di potenza |
| Descrizione sintetica in inglese | HEMT (high electron mobility transistor)Devices in GaN for power applications |
| Data del bando | 26/02/2013 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.urp.cnr.it |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|
| Nome dell'Ente finanziatore | Istituto per la Microelettronica e Microsistemi |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Catania |
| Sito web | http://www.imm.cnr.it |
| amm@imm.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 15/03/2013 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |