Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Caratterizzazione e affidabilità di dispositivi GaN HEMT per applicazioni POWER SWITCHING |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | Characterization and Reliability of Power Switching GaN HEMTs |
Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca sarà mirata alla caratterizzazione e allo studio dell’affidabilità di dispositivi GaN HEMT per applicazioni Power Switching: caratterizzazione DC, misure impulsate, stress elettrici e termici di breve e lunga durata, misure di breakdown con misure di elettroluminescenza, studio dei modi e dei meccanismi di guasto, etc. |
Descrizione sintetica in inglese | The research will be focused on the characterization and reliability study of Power Switching GaN HEMTs: DC characterization, pulsed measurements, short-term and long-term stress tests (electrical and thermal), breakdown measurements with electroluminescence measurements, study of failure modes and mechanisms, etc. |
Data del bando | 03/05/2013 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
All |
Paesi di residenza dei candidati |
All |
Nazionalità dei candidati |
All |
Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/wdyn/?IDsezione=7810 |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione-Università degli Studi di Padova |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Padova |
Sito web | http://www.dei.unipd.it |
gauss@dei.unipd.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
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Data di scadenza del bando | 21/05/2013 - alle ore 00:00 |
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Come candidarsi | Other |