Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Simulazione ed ottimizzazione di transistori in grafene ad effetto di campo |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Simulation and optimization of graphene field-effect transistors |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Verranno simulati ed ottimizzati transistori ad effetto di campo in grafene (GFET) per applicazioni analogiche ad alta frequenza. L’ottimizzazione riguarderà principalmente la saturazione delle caratteristiche d’uscita, che si ritiene si possa ottenere sfruttando gli effetti di resistenza differenziale negativa che emergono nelle giunzioni p-n in grafene, tramite l’opportuna scelta dei contatti metallici di source/drain, dello spessore del dielettrico, ecc. Lo studio verrà condotto con un simulatore di trasporto quantistico opportunamente modificato allo scopo. |
| Descrizione sintetica in inglese | Graphene field-effect transistors (GFET) for analog high-frequency applications will be simulated and optimized. The optimization will concern primarily the saturation of the output characteristics, which is believed can be achieved by exploiting the negative differential resistance effects of p-n junctions in graphene, by means of the proper choice of the source/drain metal contacts, of the gate dielectric thickness, etc. The investigation will be carried out by means of a quantum-mechanical transport simulator suitably adapted for this purpose. |
| Data del bando | 06/05/2013 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO DI ECCELLENZA ARCES -CENTRO DI RICERCA SUI SISTEMI ELETTRONICI … |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| elena.bazzocchi@unibo.it | |
| Telefono | +39 0547 339239 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
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| Data di scadenza del bando | 24/05/2013 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |