Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Caratterizzazione di Fenomeni parassiti in dispositivi GaN HEMT |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Characterization of Parasitic Effects in GaN HEMTs |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca sarà mirata allo studio e alla caratterizzazione di fenomeni parassiti in dispositivi GaN HEMTs: studio e caratterizzazione di difetti della struttura cristallina, livelli profondi e stati trappola, attraverso misure impulsate, analisi dei transitori di corrente e analisi dinamiche di transconduttanza. |
| Descrizione sintetica in inglese | The research will be focused on the study and characterization of parasitic effects on GaN HEMTs: defect states, deep-levels and charge-trap states characterization by means of pulsed measurements, current transients and dynamic transconductance analysis. |
| Data del bando | 03/05/2013 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
All |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/wdyn/?IDsezione=7811 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione- Università degli Studi di Padova |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| gauss@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
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| Data di scadenza del bando | 21/05/2013 |
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| Come candidarsi | Other |