Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo di sistemi per il controllo e l’integrazione di MEMS e NEMS, di sensori, di sorgenti ottiche, di dispositivi per la diagnostica, di dispositivi di utilizzo industriale - Rif. 141/2013 |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Development of systems for control and integration of MEMS and NEMS, sensors, optical sources, devices for diagnostics and platforms for industrial application. - Rif. 141/2013 |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | ING-INF/01 - ELETTRONICA |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
| Descrizione sintetica in italiano | Il programma prevede lo studio e progettazione di convertitori di potenza (in particolare DC-DC) innovativi ad elevata efficienza basati su carburo di silicio (SiC). In particolare l’attività di ricerca prevederà: 1) una review dello stato dell’arte dei convertitori DC-DC in relazione sia alla tecnologia (SiC) sia alle topologie circuitali (per es. convertitori quasi risonanti, multifase, etc.); ii) il dimensionamento dei componenti a semiconduttore sulla base delle specifiche del convertitore a livello di sistema; iii) la messa a punto di modelli circuitali (eventualmente elettro-termici) dei componenti a semiconduttore sulla base di dati provenienti da caratterizzazioni sperimentali e/o da analisi effettuate con strumenti di di simulazione fisica; iv) la simulazione a livello circuitale e sistemistico del convertitore e del relativo controllo digitale in ambienti quali PSPICE e Matlab-Simulink. |
| Descrizione sintetica in inglese | The program concerns the study and design of innovative and high-efficient power converters (in particular DC-DC converters) based on silicon carbide (SiC). In particular, the research activity will focus on: i) a review of the state-of-art of DC-DC converters with respect to the technology (SiC) and to the circuit topology (e.g. quasi resonant, multiphase, etc.); ii) the optimum dimensioning of the semiconductor components on the basis of the system level specifications related to the converter; iii) the development of circuit models (possibly electro-thermal models) of the semiconductor components based on data extracted from experimental characterizations and/or physics-based simulations; iv) the circuit and system level simulation of the converter and its digital control circuitry within simulation environments such as PSPICE and Matlab-Simulink. |
| Data del bando | 09/05/2013 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
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| Paesi di residenza dei candidati |
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| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Il bando e la modulistica per partecipare alla valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | To apply for research grants fill out the form available at the following address: http://www.swas.polito.it/services/concorsi/assric.asp |
| Nome dell'Ente finanziatore | Politecnico di Torino |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | torino |
| Sito web | http://www.polito.it/ |
| ruo.persns@polito.it | |
| Telefono | +39 011 090 6136 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 20/05/2013 |
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| Come candidarsi | Other |