Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Rivelatori THz ad onde di plasma in grafene e nanostrutture a semiconduttore |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Plasma wave THz detection in field effect transistors based on graphene and semiconductor nanowires (design, fabrication, analysis and development) |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
| Descrizione sintetica in italiano | Il titolare dell’assegno di ricerca dovrà occuparsi delle seguenti attività: realizzazione di nanotransistor ad effetto di campo in graphene e-o nanofili a semiconduttore; sviluppo e studio dell’accoppiamento con radiazione di frequenze THz tramite la progettazione di antenne per operazione in configurazione quasi-ottica; caratterizzazione del funzionamento come rivelatori e loro ottimizzazione. |
| Descrizione sintetica in inglese | Plasma wave THz detection in field effect transistors based on graphene and semiconductor nanowires (design, fabrication, analysis and development) |
| Data del bando | 24/10/2011 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.sns.it/servizi/job/assegnidiricerca/assegno463/ |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Importo annuale | 27.938 |
| Valuta | Euro |
| Altri costi in italiano | L'importo lordo dell’assegno, comprensivo di tutti gli oneri a carico dell’Amministrazione, è fissato in € 27.938,00= |
| Altri costi in inglese | Annual gross compensation, inclusive of all taxes: € 27.938,00= |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
Possono presentare domanda per il conferimento dell’assegno di cui sopra i candidati in possesso del titolo di dottore di ricerca, o di titolo equivalente, in Fisica. Potranno partecipare i candidati in possesso del suddetto titolo di studio indicato conseguito all’estero, riconosciuto equivalente al suddetto titolo italiano. Ai soli fini dell’ammissione alla selezione l’equivalenza dei titoli stranieri con i suddetti titoli italiani potrà essere dichiarata dalla commissione giudicatrice di cui all’art.5. Per l’espletamento dell’attività è altresì richiesta la conoscenza della lingua inglese. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
Applications are invited from candidates who have completed a PhD in Physics. Candidates who have completed the aforementioned degree abroad may also apply, if said degree is recognized as equivalent to Italian degree. Additional competence relevant to the choice of the researcher: knowledge of English language. |
| Nome dell'Ente finanziatore | Scuola Normale Superiore di Pisa |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Pisa |
| Codice postale | 56126 |
| Indirizzo | Piazza dei Cavalieri, 7 |
| Sito web | http://www.sns.it/ |
| c.puccini@sns.it | |
| c.sabbatini@sns.it | |
| Telefono | 0039 050 509727 |
| Telefono | 0039 050 509726 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 23/01/2012 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |