Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Realizzazione di una sorgente di radiazione nella regione dei THz operante a temperatura ambiente |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Realization of an optical source in the THz region, working at room temperature |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il candidato dovra’ crescere alcune boules di cristalli disordinati, opportunamente drogati, ed effettuare la loro caratterizzazione strutturale e spettroscopica al fine di valutare le prestazioni del mezzo attivo laser. In particolare verranno determinati gli assi ottici del cristallo e verranno determinati il coefficiente di assorbimento, la fluorescenza e la vita media dei livelli di interesse. Inoltre il candidato verra’ coinvolto nella realizzazione della cavita’ laser che sara’ utilizzate per la realizzazione della sorgente THz. |
| Descrizione sintetica in inglese | The candidate will be engaged in the growth of few boules of disordered crysatls, suitably doped, and he will perform the structural and spectroscopic characterization of the crystal samples in order to evaluate their performances as laser active media. In particular the crystals optical axes will be determined, in addiction to absorption coefficient, fluorescence and lifetime of the relevant levels. Moreover the candidate will be involved in the realization of the laser cavity that will allow THz generation. |
| Data del bando | 12/09/2013 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/4125_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Importo annuale | 25320 |
| Valuta | Euro |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Valutazione dei titoli e prova colloquio. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | Assessment of the titles and interview. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Prova colloquio per le sole candidature presentate in conformità con quanto richiesto dal bando NANO AR 019/2013 PI,presso la sede dell’Istituto Nanoscienze – Piazza San Silvestro 12 – 56127 – Pisa, il giorno 13 Novembre 2013, alle ore 11:00. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | Interview, only for applications submitted in conformity with vacancy call NANO AR 019/2013 PI, at CNR's Institute of Nanoscienze, Piazza San Silvestro 12 – 56127 – Pisa, on November 13, 2013, at 11:00 a.m. |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR - Istituto Nanoscienze |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Pisa |
| Codice postale | 56127 |
| Indirizzo | Piazza San Silvestro 12 |
| Sito web | http://Piazza San Silvestro 12 – 56127 – Pisa |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 28/10/2013 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |