Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Progetto Europeo Flagship |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | EC project Flagship |
Campo principale della ricerca | Physics |
Sottocampo della ricerca | Computational physics |
Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | L’assegnatario del posto studierà, tramite simulazioni al calcolatore, sistemi grafenici, semplici e/o variamente funzionalizzati e decorati, in varie condizioni (sottoposti stress meccanico e corrugati, in campi elettrici e/o magnetici) ed in interazione con molecole di vario tipo (principalmente idrogeno). Le metodologie adottate potranno/dovranno essere di vario genere: Teoria del Funzionale di Densità, Dinamica Molecolare Classica, approcci continui meccanicistici. La combinazione di queste tecniche in un approccio multi-scala sarà necessaria allo scopo di combinare l’accuratezza con la grandi scale spaziali e temporali coinvolte (nano-micro). Sono previste interazioni con la controparte sperimentale del gruppo e confronto dei dati di simulazione con misure. Le applicazioni di questi studi riguarderanno l’utilizzo di sistemi grafenici per immagazzinamento di energia e nella nano-elettronica. |
Descrizione sintetica in inglese | The PostDoc fellow will study by means of computer simulations, graphenic systems alone or variously decorated and functinalized, in different conditions (corrugated, under mechanical stress, within electric/magnetic fields), and in interaction with different molecules, mainly hydrogen. This study should be performed with different methodologies: Density Functional Theory, Classical Molecular Dynamics, continuum mechanicistic approaches. The combination of these techniquest in a multi-scale approache will be necessary to obtain high accuracy in simulation on the large time-scale scales (nano-micro). The results of simulations will be compared with measurements performed by the local experimental group. The pplications of these studies are related to the use of graphenic systems in the field of energy storage and in nano-electronics. |
Data del bando | 13/09/2013 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
E' richiesta mobilità internazionale? | no |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
All |
Nazionalità dei candidati |
All |
Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/4136_DOC_IT.pdf |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
Importo annuale | 22000 |
Valuta | Euro |
Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
Comprende vitto e spese di viaggio | no |
Comprende il costo della ricerca | no |
Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Valutazione dei titoli e prova colloquio. |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | Assessment of the titles and interview. |
Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Le domande saranno valutate da una commissione del CNR. I candidati valutati idonei dovranno sostenere un colloquio che si terrà il 16 Ottobre 2013 alle ore 11:30 presso la Sede di Pisa dell’Istituto NANO, Piazza San Silvestro 12 – 56127 Pisa (Italia) |
Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | The submitted applications will be evaluated by CNR. A reserve list of accepted applications will be set up. These candidates will be invited for an interview that it will held on October 16,2013, at 11:30 a.m., at CNR’s Institute NANO- Piazza San Silvestro, 12 – 56127 Pisa (Italy). |
Nome dell'Ente finanziatore | CNR - Istituto Nanoscienze |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Pisa |
Codice postale | 56127 |
Indirizzo | Piazza San Silvestro 12 |
Sito web | http://www.nano.cnr.it/ |
supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
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Data di scadenza del bando | 02/10/2013 |
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Come candidarsi | Other |