Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sintesi e studio di materiali organici e inorganici per applicazioni in dispositivi a base memristor |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Synthesis and analysis of organics and inorganics materials for applications in memristor based devices |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Chemical physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | I “memristor” sono dispositivi caratterizzati dalla presenza di stati a bassa ed alta conducibilità elettrica a seconda delle condizioni di tensione/corrente applicate. Questa “memoria” dello stato conduttivo rende il memristor un dispositivo elettronico passivo per utilizzo come unità di memoria. I materiali che danno origine a questi effetti sono sia inorganici (ossidi di metallo) che organici (polianiline). IMEM, nell’ambito del progetto MaDEleNA, sta studiando queste classi di materiali per la realizzazione di un nuovo tipo di elettronica basata proprio sui memristor. Nell’ambito degli ossidi metallici, con questa ricerca si vogliono studiare vari tipi di materiali (ossidi di titanio, vanadio, silicio) ottenuti con tecniche di crescita in vuoto da vapori fisici. Si dovranno sviluppare tali tecniche al fine di massimizzare l’effetto memrisistivo, studiare i materiali sia dal punto di vista elettrico che fisico/chimico, seguirne l’utilizzo in dispositivi elettronici |
| Descrizione sintetica in inglese | “Memristor” are electrical devices characterized by two defined physical states at high and low electrical conductivity depending on the applied voltage/current conditions. This memory effect of the conducting state makes memristor a passive electronic device to be used as single memory unit. Materials for memristor are inorganics (metal oxides) and organics (polyaniline). IMEM, within the MaDEleNA project, is studying these materials to develop a new type of electronic devices based on memristors. Regarding metal oxides, in this research several materials will be studied (oxides of titanium, vanadium, silicon) grown in vacuum by means of physical vapors. These techniques will be developed in details aiming at maximizing the memristive effect, electrical and physical/chemical properties of materials will be studied and the realization of devices based on these materials will be pursued. |
| Data del bando | 27/09/2013 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 19367 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/assegni/ |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Importo annuale | 19367 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Il candidato deve avere conoscenze in: sintesi di materiali organici, inorganici, in forma di film sottili e non; studio di proprietà fisico chimiche dei materiali; realizzazione di dispositivi |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | The candidate must have knowledge in: material synthesis of inorganics, organics, in form of thin and thicker films; study of materials’ physical/chemical properties; realization of devices |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) |
VALUTAZIONE DEI TITOLI E DEL CURRICULUM, E COLLOQUIO SULLA MATERIA DELL’ASSEGNO |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | THE SELECTION WILL BE CARRIED OUT BY A COMMITTEE AND WILL BE BASED ON THE EVALUATION OF SCIENTIFIC TITLES AND CV, FOLLOWED BY AN INTERVIEW |
| Nome dell'Ente finanziatore | Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Trento (TN) |
| Codice postale | 38123 |
| Indirizzo | via alla Cascata 56/C Povo |
| Sito web | http://www.imem.cnr.it |
| amministrazione-tn@imem.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 17/10/2013 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |