Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo e calibrazione di modelli per la simulazione di transistori MOS in semiconduttori composti III-V |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Development and calibration of models for the simulation of MOS transistors in III-V semiconductor compounds |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L'assegnista sarà coinvolto nelle attività di ricerca previste nel progetto EU FP7 III-V-MOS appena lanciato, ed in particolare nello sviluppo di modelli TCAD per la simulazione di transistori MOS con lunghezze di canale decananometriche in materiali alternativi al silicio, quali semiconduttori composti III-V. L'approccio fisico sarà basato su un modello di trasporto quantistico, tramite il metodo delle funzioni di Green (NEGF), accoppiato con l'equazione di Poisson. Il nuovo strumento di simulazione dovrà consentire lo studio di aspetti quali: quantizzazione dovuta al confinamento laterale, diverso orientamento cristallografico, strain, tunnel diretto e banda a banda, scattering, impatto dei difetti e delle trappole. Saranno studiati diversi tipi di geometrie di dispositivo: nanowire, UTB SCoI, FinFET con struttura multi-gate. |
| Descrizione sintetica in inglese | The researcher will be involved in the activities related to the EU FP7 project III-V-MOS just started, in particular in the development of TCAD models for the simulation of MOSFETs with channel lengths in the decananometer range and channel materials alternative to silicon, such as III-V semiconductor compounds. The physical approach will be based on a full quantum transport model, through the Green's functions formalism (NEGF), coupled with Poisson equation. The new simulation tool shall allow the investigation of such aspects as: quantization due to the lateral confinement, different crystallographyc orientation, strain, direct and band-to-band tunneling, scattering, impact of defects and traps. Several types of device geometries will be considered: nanowire FET, UTB SCoI, FinFET with multi-gate structure. |
| Data del bando | 08/11/2013 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO DI ECCELLENZA ARCES -CENTRO DI RICERCA SUI SISTEMI ELETTRONICI … |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| elena.bazzocchi@unibo.it | |
| Telefono | +39 0547 339239 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
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| Data di scadenza del bando | 26/11/2013 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |