Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Caratterizzazione e modellistica di dispositivi elettronici di potenza in Nitruro di Gallio |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Characterization and Modelling of GaN-based Power Electron Devices |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca dell’assegnista riguarderà la caratterizzazione e la modellistica di dispositivi elettronici di potenza in tecnologia al Nitruro di Gallio. In particolare, dispositivi forniti da partner industriali di diverse taglie e possibilmente cresciuti su diversi substrati saranno misurati con strumentazione in grado di applicare eccitazioni alle porte di tipo impulsivo, forzando diverse condizioni di stato termico e di intrappolamento di carica alle interfacce. Si procederà quindi all’analisi dei dati ottenuti sia in regime transitorio sia stazionario “above-cutoff”. Sarà quindi sviluppato un modello empirico elettro-termico dei dispositivi per la progettazione circuitale. Il modello sarà infine implementato in un ambiente CAD commerciale e sarà validato sperimentalmente nel contesto di applicazioni elettroniche tipiche. |
| Descrizione sintetica in inglese | The research activity will deal with the characterization and modelling of GaN-based power electron devices. In particular, devices provided by industrial partners having different sizes and hopefully grown on different substrates will be experimentally characterized. To this aim, special instrumentation will be used in order to excite the device ports with pulsed waveforms. Different thermal and charge trapping states at the layer interfaces will be stimulated. Experimental data, both under transient and “above-cutoff” steady-state operation, will be analyzed. Then, an empirical electro-termal device model for circuit design will be developed and implemented into a commercial CAD framework. Eventually, the model will be experimentally validated in the context of typical electronic applications. |
| Data del bando | 29/11/2013 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO INTERDIP. CIRI MECCANICA AVANZATA E MATERIALI |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| aric.tecnopoli@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 14/12/2013 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |