Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Analisi di difetti in arrays di nanofili, in singoli nanofili e in nanostrutture a semiconduttore |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Study on nanowires (single and arrays) by Deep Level Transient Spectroscopy, Atomic Force Microscopy and Kelvin Probe Force Microscopy |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Condensed matter properties |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Nel campo della nanotecnologia, un settore promettente riguarda le proprietà fisiche e le potenziali applicazioni dei nanofili semiconduttori. Essi hanno proprietà assai diverse rispetto ai films sottili o ai tradizionali dispositivi planari. La caratterizzazione dei livelli energetici all’interno del gap proibito, corrispondenti a difetti, è di basilare importanza per la comprensione della fisica di queste strutture e in vista della loro applicazione come dispositivo. Scopo della ricerca sarà caratterizzare i livelli nel gap proibito di singoli nanofili semiconduttori (Si, GaAs) per mezzo della tecnica Kelvin Probe Force Microscopy per localizzare i livelli nel gap proibito di un singolo nanofilo. I risultati KPFM saranno confrontati con risultati ottenuti con il metodo DLTS sugli arrays da cui provengono le singole nano strutture. Inoltre, verrà utilizzata la tecnica AFM, Atomic Force Microscopy, per studiare la struttura alla nanoscala. |
| Descrizione sintetica in inglese | In the field of the nanotechnology, the properties of semiconducting nanowires are of great interest in view of the many possible applications. The nanowires have properties very different with respect of the thin films or the traditional planar devices. In nanowires the characterization of the electronic levels in the forbidden gap, associated to electrically active defects, is of major importance to understand their optical and electrical properties. Goal of this project is the characterization of the levels in the forbidden gap of single nanowires (Si, GaAs) by Kelvin Probe Force Microscopy. The results obtained by KPFM will be compared to the achievements by Atomic Force Microscopy and by DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) on the arrays from which the single nanowires have been selected. The morphology and local electrical properties will be investigated by Atomic Force Microscopy to study the NW structure at the nanoscale. |
| Data del bando | 13/12/2013 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - DIPARTIMENTO DI FISICA E ASTRONOMIA |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| anna.cavallini@bo.infn.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 08/01/2014 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |