Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Modellistica, simulazione e ottimizzazione di dispositivi Tunnel FET (TFET) a eterostruttura basati su semiconduttori III-V per lo sviluppo di tecnologie elettroniche a basso consumo. |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Energy Efficient Tunnel FET Switches and Circuits (E2SWITCH) |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | E2SWITCH investiga i Tunnel FET (TFETs) in quanto dispositivi ad alta efficienza energetica in grado di ridurre la tensione di alimentazione dei circuiti integrati (IC) al di sotto di 0.25V e di renderli significativamente più efficienti sfruttando le piattaforme basate su SiGe/Ge e semiconduttori III-V in condizioni di stress meccanico. Si propone una ottimizzazione e una valutazione comparativa DC/AC per TFET complementari di tipo n e p, integrati sulla stessa piattaforma. Modelli compatti saranno sviluppati e implementati per supportare il progetto di IC a basso consumo con compatibilità architetturale CMOS per applicazioni: (i) digitali e (ii) analogiche/RF. La scalabilità dei dispositivi, l’affidabilità operativa e la funzionalità dalla temperatura ambiente alle alte temperature, come richiesto dalle metriche ITRS, rappresentano le priorità della nostra ricerca. |
| Descrizione sintetica in inglese | E2SWITCH focuses on Tunnel FET (TFETs) as most promising energy efficient device candidates able to reduce the voltage supply of integrated circuits (ICs) below 0.25V and make them significantly more energy efficient by exploiting strained SiGe/Ge and III-V platforms, with CMOS technological compatibility. A full optimization and DC/AC benchmarking for complementary n- and p-type TFETs, integrated on the same fabrication platform, is proposed. Compact models are developed and implemented to support the design of low power ICs with CMOS architectural compatibility for: (i) digital and (ii) analog/RF. The device scalability, operational reliability and the operation from room to high temperature, as required by ITRS metrics, are priorities of our investigations. |
| Data del bando | 30/12/2013 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - CENTRO DI ECCELLENZA ARCES -CENTRO DI RICERCA SUI SISTEMI ELETTRONICI … |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| elena.bazzocchi@unibo.it | |
| Telefono | +39 0547 339239 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
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| Data di scadenza del bando | 16/01/2014 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |