Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo e implementazione di modelli empirici non lineari di transistori di potenza di tipo GaN-FET |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Development and implementation of empirical nonlinear GaN-FET power transistor models |
| Campo principale della ricerca | Engineering |
| Sottocampo della ricerca | Electronic engineering |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca dell’assegnista riguarderà lo sviluppo di modelli empirici non lineari di transitori di potenza di tipo GaN-FET per applicazioni sia nel campo dell’elettronica per le telecomunicazioni e il telerilevamento via satellite (e.g. SAR, altimetria, radar) sia in ambiti di elettronica industriale. In particolare, l’assegnista eseguirà caratterizzazioni sperimentali di dispositivi messi a disposizione da partner industriali attraverso misure in regime impulsivo multiplo ed in regime sinusoidale con segnali a due toni incorrelati, metterà a punto tecniche di approssimazione/interpolazione numerica delle caratteristiche non lineari dei dispositivi e implementerà opportune metodologie per l’identificazione dei parassiti. I modelli saranno resi disponibili in un ambiente CAD commerciale e saranno convalidati sperimentalmente. |
| Descrizione sintetica in inglese | The research activity will deal with the development of empirical nonlinear models of GaN-FET power transistors for applications in the field of electronics for telecommunications/GMES (e.g. SAR, altimeters, radar) and power electronics. In particular, the researcher will experimentally characterize electron devices made available by industrial partners by means of multiple-pulse techniques and other approaches under sinusoidal regime in the presence of two uncorrelated signal sources. In addition, problems of electrical I/V characteristic approximation/interpolation and extrinsic parasitic network identification will be considered also. The developed models will be made available in the framework of commercial CAD tools and experimentally validated. |
| Data del bando | 29/01/2014 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | il bando e la modulistica per partecipare alla procedura di valutazione comparativa sono disponibili all'indirizzo: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | to apply for research grants fill out the form available at the following address: https://www.aric.unibo.it/AssegniRicerca/BandiPubblicati/zz_Bandi_din.aspx |
| Nome dell'Ente finanziatore | ALMA MATER STUDIORUM - UNIVERSITA' DI BOLOGNA - - DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI" |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Bologna |
| Sito web | http://www.unibo.it |
| a.villa@unibo.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 14/02/2014 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |