Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Transistor su GaN per applicazioni RF: caratterizzazione e affidabilità |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | GaN-based transistors for RF applications: characterization and reliability |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L'obiettivo finale del progetto è l’analisi dei meccanismi parassiti e di degrado transistor RF basati su GaN. Più specificamente il candidato si occuperà di: 1. Acquisire diversi campioni (sperimentali e commerciali) per le analisi successive 2. Studiare i meccanismi che limitano la performance RF di transistor su GaN 3. Studiare i meccanismi di degrado di transistor RF su GaN |
| Descrizione sintetica in inglese | The goal of this project is the analysis of the parasitics and of the degradation mechanisms of GaN-based HEMTs for RF applications. More specifically, the candidate will: 1. Acquire several sets of commercial and R&D devices for the subsequent analysis 2. Study the physical mechanisms that limit the performance of these devices 3. Study the physical mechanisms that limit the reliability of GaN-based HEMTs |
| Data del bando | 03/02/2014 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
All |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/bandi |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione- Università degli Studi di Padova |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| zanoni@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 20/02/2014 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |