Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Metodologie avanzate di microscopia elettronica in trasmissione analitica ad alta risoluzione e relative simulazioni, applicate allo studio di calcogenuri a cambiamento di fase nanostrutturati |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | High resolution Analytical TEM and simulations advanced methodologies applied to nanostructured chalcogenide phase change materials |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il progetto SYNAPSE prevede l’impiego della tecnica MOCVD per ottenere materiali calcogenuri nanostrutturati a base di (Ge, In)-Sb-Te, da utilizzare come celle di memoria, aumentando la capacità di immagazzinamento per cella e riducendo i costi e il consumo energetico. In SYNAPSE è previsto lo studio dettagliato delle proprietà strutturali e chimiche del materiale, essenziale per l’ottimizzazione delle caratteristiche delle memorie. La struttura di questi composti non è ancora assodata, sebbene sia critica per il cambiamento di fase ed influisca sulla rapidità e sul costo energetico dello stesso, nonché sulla stabilità temporale dell’informazione immagazzinata. L’attività di ricerca per questo assegno consiste nella combinazione di indagini TEM ad alta risoluzione e di indagini STEM-HAADF ad alta risoluzione con relative simulazioni di contrasto di immagine, già dimostrata potente per identificare e rifinire la struttura cristallina di materiali nanostrutturati. |
| Descrizione sintetica in inglese | The SYNAPSE project aims to increase the storage capacity per cell, and reduce the power consumption and cost of non-volatile memories by using industry-compatible techniques (MOCVD) to form nanoscale chalcogenide-based memory cells. In particular, for what concerns this grant, in the project a detailed study of the structural and functional properties of Ge-Sb-Te and In-based nanowire and core shell nanowire systems is needed in order to optimize the Core Shell-NW characteristics for the multi-level data storage application. The crystal structure of these compounds has not yet been assessed, even if it is a crucial parameter of the phase transition and influences the speed, the energetic consumption and the data retention time of the memory device. The combination of TEM high resolution images and STEM-HAADF images has proved itself to be a powerful tool for the crystal structure identification and refinement of nanostructured materials. |
| Data del bando | 06/02/2014 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/4641_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
| Importo annuale | 22000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
-Diploma di laurea in Fisica, Scienza dei Materiali conseguito secondo la normativa in vigore anteriormente al D.M. 509/99, oppure Laurea Specialistica/Magistrale (D.M. 5 maggio 2004); - Dottorato in Fisica, Scienze e Tecnologia dei Materiali Innovativi - Comprovata esperienza in tecniche di Microscopia Elettronica in Trasmissione Analitica e ad Alta Risoluzione; dimestichezza con il software di simulazione STEM_CELL o equivalenti |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
Degree in Physics, Materials of Science obtained in accordance with the legislation in force before Ministerial Decree DM 509/99 or Degree of II level / Master (Ministerial Decree DM May 5, 2004) - PhD in Physics, Science and Technology of Innovative Materials - Proven experience in Analytical Transmission Electron Microscopy techniques and High Resolution, and software STEM CELL |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Valutazione dei titoli e del curriculum, e colloquio sulla materia dell’assegno |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | The selection will be carried out by a committee and will be based on the evaluation of scientific titles and cv, followed by an interview on the topic of the grant program |
| Nome dell'Ente finanziatore | Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - CNR |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Parma |
| Codice postale | 43124 |
| Indirizzo | Parco Area delle Scienze 37/A |
| Sito web | http://www.imem.cnr.it |
| segreteria-imem@imem.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
|---|
| Data di scadenza del bando | 07/03/2014 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |