Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | “REAL NEURONS-NANOELECTRONICS ARCHITECTURE WITH MEMRISTIVE PLASTICITY", ACRONIMO PROGETTO RAMP |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | "Neurons REAL-Nanoelectronics ARCHITECTURE WITH PLASTICITY MEMRISTIVE" RAMP PROJECT ACRONYM |
Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | messa a punto e impiego di sistemi di misura ottimizzati per caratterizzazione funzionale, principalmente elettrica, di dispositivi con funzionalità “memristive” per applicazioni in circuiti neuromorfici e dispositivi EOS e EOSFET per la stimolazione e rivelazione della attività neuronale |
Descrizione sintetica in inglese | development and use of measurement systems optimized for functional characterization, mainly electrical, of devices with functionality "memristive" for applications in neuromorphic circuits and devices EOSFET EOS and for the stimulation and detection of neuronal activity |
Data del bando | 24/01/2014 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
All |
Nazionalità dei candidati |
All |
Sito web del bando | http://WWW.URP.CNR.IT |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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Nome dell'Ente finanziatore | Istituto per la microelettronica e microsistemi uos Agrate Brianza |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Agrate Brianza |
Sito web | http://www.imm.cnr.it |
protocollo.imm@pec.cnr.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
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Data di scadenza del bando | 17/02/2014 - alle ore 00:00 |
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Come candidarsi | Other |