Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio interferometrico e near-field di nanorisuonatori LC |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Interferometric and near-field investigation of LC nanoresonators |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Condensed matter properties |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Il candidato si occuperà della progettazione e della relizzazione con tecniche nanolitografiche di risuonatori descrivibili come circuiti LC. Ne studierà poi la risposta ottica risonante anche con tecniche interferometriche per il controllo coerente dell'assorbimento, e di campo prossimo per analizzare la risposta del singolo risuonatore. |
| Descrizione sintetica in inglese | The candidate will work at the design and realization through nanolithographic techniques of resonators that can be described as LC circuits. He/she will then investigate the resonant optical response both with interferometric approaches for the coherent control of absorption and near-field techniques to analize the response of the individual resonator. |
| Data del bando | 14/02/2014 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | yes |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/4682_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Importo annuale | 19.637 |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
Valutazione dei titoli e prova colloquio. - Laurea ub Fisica - esperienza (dichiarato con le modalità di cui all’art. 4) di fabbricazione e simulazione elettromagnetica di nanostrutture. Controllo coerente dei processi di assorbimento, interferometria, plasmonica; - conoscenza della lingua inglese |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
Assessment of the titles and interview. -Graduate in Physics -Previous experience in processing and electromagnetic simulation of nanostructures. Coherent absorption control, interferometry, plamonics |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Prova colloquio, per le sole candidature presentate in conformità al bando NANO AR 006/2014 PI, il giorno 24 Marzo 2014 alle ore 15:00 presso la Sede dell’Istituto NANO, Piazza San Silvestro 12 – 56127 PISA. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | Interview, only for applications submitted in conformity with vacancy call NANO AR 006/2014 PI, on March 10, 2014, at 3:00 p.m., at CNR’s Nanoscienze Institute, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa (Italy). |
| Nome dell'Ente finanziatore | CNR- INSTITUTE NANO |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Pisa |
| Codice postale | 56127 |
| Indirizzo | Piazza San Silvestro 12 |
| Sito web | http://www.nano.cnr.it.pdf |
| supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Ideas-ERC |
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| Data di scadenza del bando | 07/03/2014 |
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