Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | FIRB 2012 Nanostrutture ibride superconduttore-semiconduttore: applicazioni nanoelettroniche, proprietà topologiche, correlazione e disordine. |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | FIRB 2012 Hybrid superconductor-semiconductor nanostructures: nanoelectronic applications, topological properties, correlation and disorder. |
Campo principale della ricerca | Physics |
Sottocampo della ricerca | Condensed matter properties |
Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | Scopo della presente attività è lo studio dell’effetto prossimità in eterostrutture superconduttore-semiconduttore (o isolante topologico) in presenza di un accoppiamento Rashba significativo ed eventualmente controllabile con l'effetto di campo. In particolare, si studieranno le proprietà degli stati legati all’interfaccia, e le condizioni ottimali perché essi abbiano una natura tipo Majorana. Gli approcci teorici comprenderanno: tecniche analitiche; tecniche numeriche tipo tight binding Bogolubov - De Gennes (in particolare si richiede l’implementazione di un codice tight-binding ex novo); eventualmente tecniche ab-initio per stimare le proprietà elettroniche (struttura a bande, densità degli stati) della regione semiconduttiva (o isolante topologico). |
Descrizione sintetica in inglese | The main goal of this activity is the study of proximity effect in superconductor-semiconductor (topological insulator) heterostrures in the presence of a sizable Rashba coupling, controllable via field effect. In particular, we will study the properties of states bounded at the interface and optimal conditions allowing them to have a Majorna like nature. Theoretical approaches will include: analytical techniques, numerical techniques such as tight binding Bogolubov-De Gennes (in particular we aim at writing a new tight binding code from the scracth), possibily ab initio techniques to have access to electronic properties (band structures, density of states) of the semiconducting (or topological insulator) region. |
Data del bando | 25/02/2014 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
E' richiesta mobilità internazionale? | no |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
All |
Nazionalità dei candidati |
All |
Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/4719_DOC_EN.pdf |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
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Importo annuale | 26000 |
Valuta | Euro |
Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | Valutazione dei titoli e prova colloquio. |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | Assessment of the titles and interview. |
Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Prova colloquio, per le sole candidature presentate in conformità con il bando SPIN AR 003/2014 NA, il giorno 16 aprile 2014 alle ore 11 presso la UOS di Napoli dell’Istituto SPIN, Dipartimento di Fisica. Università di Napoli Federico II – Monte S. Angelo, Aula 2G27, Via Cinthia, 80126 Napoli. |
Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | Interview, only for application submitted in conformity with vacancy call SPIN AR 003/2014 NA, on April 16, 2014, at 11:00 a.m., at UOS of Naples of CNR’s SPIN Institute, Physic’s Department of “Università di Napoli Federico II” Monte S. Angelo – Room 2G27, Via Cinthia, 80126 Napoli, Italy. |
Nome dell'Ente finanziatore | CNR - Istituto SPIN. |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Napoli |
Codice postale | 80126 |
Indirizzo | Dip. di Fisica, Università di Napoli Federico II Monte S.Angelo, Via Cinthia |
Sito web | http://www.spin.cnr.it/ |
supporto.reclutamento@spin.cnr.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 18/03/2014 |
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Come candidarsi | Other |