Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | LED su GaN: efficienza quantica e difetti reticolari |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | GaN-based LEDs: quantum efficiency and lattice defects |
Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | L'obiettivo finale del progetto è l’analisi dei meccanismi che limitano l’efficienza di diodi LED basati su GaN. Più specificamente il candidato si occuperà di: 1. Acquisire diversi set di campioni commerciali e prototipi sperimentali per le successive analisi 2. Studiare le caratteristiche elettro-ottiche di LED su GaN 3. Studiare le proprietà dei difetti reticolari di LED su GaN 4. Sviluppare opportuni modelli per interpretare la correlazione tra difetti reticolari e efficienza quantica |
Descrizione sintetica in inglese | The goal of this project is the analysis of the physical mechanisms that limit the efficiency of GaN-based LEDs. More specifically, the candidate will: 1. Acquire several sets of commercial and R&D devices for the subsequent analysis 2. Study the electro-optical characteristics of the devices 3. Study the properties of defects in GaN-based LEDs 4. Develop suitable models to explain the correlation between quantum efficiency and defects |
Data del bando | 06/03/2014 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
All |
Nazionalità dei candidati |
All |
Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/bandi |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Padova |
Sito web | http://www.dei.unipd.it |
zanoni@dei.unipd.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 25/03/2014 |
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Come candidarsi | Other |