Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Affidabilità di Dispositivi GaN HEMTs per applicazioni di potenza |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Reliability of GaN HEMT devices for power applications |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Varie aziende e università stanno sviluppando transistor ad alta mobilità (HEMT) su GaN con prestazioni in frequenza e potenza sempre crescenti. Nonostante gli sforzi degli ultimi anni, l’affidabilità della tecnologia deve ancora essere totalmente dimostrata. Inoltre, al crescere della frequenza e della potenza operativa, l’affidabilità diventa un fattore sempre più critico, dovuto ai maggiori campi elettrici, correnti e temperature in gioco che possono rallentare l’ottimizzazione dei dispositivi. A tal scopo, viene proposta un’attività intensiva con l’obiettivo di studiare l’affidabilità dei dispositivi su GaN per applicazioni in alta potenza e di identificare i principali meccanismi di guasto che accelerano il degrado in condizioni operative. |
| Descrizione sintetica in inglese | Several universities and industrial groups fabricated GaN High Electron Mobility Transistors with a constant increase on frequency and power performances. Despite the large efforts, reliability of this technology still has to be fully demonstrated. Furthermore, as the operating frequency and power increase, reliability issues become more critical, due to higher electric fields, higher current and higher temperature that can hinder device optimization. We propose an intensive approach to study the reliability of the GaN devices suitable for high-power application and to identify the main failure mechanisms that accelerate the device degradation in real operating condition. |
| Data del bando | 14/11/2011 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
Italy |
| Nazionalità dei candidati |
Italy |
| Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/wdyn/?IDsezione=7159 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|
| Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Padova- Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Padova |
| Sito web | http://www.dei.unipd.it |
| gauss@dei.unipd.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 07/12/2011 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |