Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio Spettroscopico di Nanoantenne di Semiconduttore Integrate |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | Spectroscopic Study of Integrated Semiconductor Nanoantennas |
Campo principale della ricerca | Physics |
Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
S.S.D | FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE |
Descrizione sintetica in italiano | Il tema di ricerca proposto è legato all'attività del Progetto FP7 "Gemini: Germanium Mid-infrared Plasmonics " di cui il Dipartimento di Fisica della Sapienza è un partner. Il progetto mira a porre le basi di un nuovo paradigma per la sensoristica ottica basato sul regime di forte interazione luce-materia per specifiche molecole a lunghezze d'onda medio infrarosso, attraverso l'ingegnerizzazione di effetti plasmonici nei semiconduttori del gruppo IV. La tecnologia abilitante è la crescita epitassiale di film Ge fortemente drogati con frequenza di plasma nel medio infrarosso. Questo permette la sostituzione dei metalli con semiconduttori nei sensori plasmonici, con i vantaggi della fabbricazione in fonderie per il Silicio e della compatibilità con i circuiti microelettronici integrati. |
Descrizione sintetica in inglese | The proposed research topic is linked to the activity of the FP7 Project “Gemini: Germanium Mid-infrared Plasmonics” of which the Physics Department of Sapienza is a partner. The project aims at laying the foundations of a novel paradigm in optical sensing by introducing molecule-specific strong light-matter interaction at mid-infrared wavelengths through the engineering of plasmonic effects in group-IV semiconductors. The key enabling technology is the epitaxial growth of heavily-doped Ge films with plasma frequency in the mid-infrared range. This allows for the complete substitution of metals with semiconductors in plasmonic sensor design, with the clear advantage of fabrication in Silicon foundries and compatibility with integrated microelectronic circuits. |
Data del bando | 09/05/2014 |
Numero di assegnazioni per anno | 1 |
Stanziamento annuale (indicativo) | 40000 |
Periodicità | biennale |
E' richiesta mobilità internazionale? | no |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
Paesi di residenza dei candidati |
All |
Nazionalità dei candidati |
All |
Sito web del bando | https://www.phys.uniroma1.it/fisica/bandi |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
Importo annuale | 34000 |
Valuta | Euro |
Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
Comprende vitto e spese di viaggio | no |
Comprende il costo della ricerca | no |
Massima durata dell'assegno (mesi) | 24 |
Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
Colloquio sui seguenti argomenti: Spettroscopia Infrarossa e Terahertz Tecnologie di Nanofabbricazione Plasmonica nello Stato Solido Fisica dei Semiconduttori |
Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
Interview: Infrared and Terahertz Spectroscopy Nanofabrication Technologies Solid State Plasmonics Physics of Semiconductors |
Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | valutazione di titoli e successivo colloquio da parte della commissione di esame |
Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | assessment of CV and qualifications and follow-up interviewby the board of examiners |
Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento Di Fisica |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | Roma |
Codice postale | 00185 |
Indirizzo | Piazzale Aldo Moro, 5 |
Sito web | https://www.phys.uniroma1.it/fisica/ |
daria.varone@uniroma1.it | |
Telefono | +39 06 49914379 |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | Fp7/Other |
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Data di scadenza del bando | 08/06/2014 - alle ore 00:00 |
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Come candidarsi | assegnidiricercafisica@uniroma1.it |