Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Tecnologie fisiche per il trattamento di superfici in processi microelettronici |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Physical technologies for surface treatment in microelectronic processes. |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/07 - FISICA APPLICATA (A BENI CULTURALI, AMBIENTALI, BIOLOGIA E MEDICINA) |
| Descrizione sintetica in italiano | Il diffondersi delle reti di comunicazione in radiofrequenza richiede l’impiego di componenti elettronici ad alta affidabilità. Gli High Electron Mobility Transistor (HEMT) offrono una tecnologia ad alta efficienza ed un funzionamento in un’ampia banda di frequenze e possono pertanto essere utilizzati in tali contesti. Una delle principali esigenze nella realizzazione di HEMT è la disponibilità di contatti ohmici a bassa resistività e bassa impedenza. Il progetto propone di realizzare e caratterizzare dei contatti ohmici per HEMT sfruttando la tecnica dell’impiantazione ionica di metalli mediante l’acceleratore lineare “PLATONE” presso il Dipartimento di Matematica e Fisica “Ennio De Giorgi”. Tale tecnica consentirà di inserire specifici ioni nel substrato ricevente ad una profondità variabile in funzione dell’energia degli ioni, offrendo quindi un’ottima garanzia di adesione rispetto alla semplice deposizione. |
| Descrizione sintetica in inglese | The spreading of radiofrequency communication networks requires the use of high-fidelity electronic components. The High Electron Mobility Transistors (HEMT) offer a high efficiency technology and a wide-band operation, therefore they could be used in such contexts. One of the principal necessity in HEMT fabrication is the availability of ohmic contacts with low resistivity and impedance. The project wants to study the realization and characterization of HEMT ohmic contact using ion implantation of metals through the “PLATONE” linear accelerator, available at the Dipartimento di Matematica e Fisica “Ennio De Giorgi”. This technique will enable the insertion on the host substrate of specific ions at a depth that is a function of the ion energy, ensuring a stronger adhesion with respect to the simple deposition. |
| Data del bando | 30/07/2014 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
All |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.unisalento.it/web/guest/concorsi |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | yes |
| Importo annuale | 19367 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | yes |
| Comprende il costo della ricerca | yes |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) | La selezione avviene mediante valutazione comparativa dei titoli e delle pubblicazioni presentati dai candidati relativi al programma di ricerca e al settore scientifico-disciplinare dell’assegno a cui segue un colloquio. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) | The selection is carried out evaluation of degrees and publications submitted by the candidates for the research program and the scientific field of the project followed by an interview. |
| Nome dell'Ente finanziatore | Università del Salento |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Lecce |
| Codice postale | 73100 |
| Indirizzo | piazza Tancredi, 7 |
| Sito web | https://www.unisalento.it/web/guest/home_page |
| tonia.romano@unisalento.it | |
| Telefono | 0832/297463 |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 01/09/2014 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |