Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | CRESCITA DI FILM SOTTILI DI Cu(In,Ga)Se2 MEDIANTE TECNICA DI ABLAZIONE A ELETTRONI PULSATI, PER SISTEMI FOTOVOLTAICI A CONCENTRAZIONE SOLARE BASATI SULLA SEPARAZIONE SPETTRALE |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | GROWTH OF Cu(In,Ga)Se2 THIN FILMS BY PULSED ELECTRON ABLATION TECHNIQUE FOR SOLAR CONCENTRATING PHOTOVOLTAIC SYTEMS BASED ON SPECTRAL SPLITTING |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Other |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca sarà incentrata sull’ottimizzazione della crescita di film sottili di Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) mediante tecnica da vuoto a elettroni pulsati (conosciuta commercialmente con gli acronimi PED, Pulsed Electron Deposition o PPD, Pulsed Plasma Deposition). Questi film sono utilizzati come strati assorbitori di celle fotovoltaiche da impiegare in sistemi a concentrazione solare con separazione spettrale. Il titolare dell’assegno dovrà occuparsi in particolare dello studio e della definizione dei parametri energetici del fascio elettronico (corrente, energia, tempo di scarica, etc.) che massimizzano le proprietà elettriche e ottiche dello strato assorbitore di CIGS. |
| Descrizione sintetica in inglese | The research will be focused on the growth optimization of Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin-films by means of a vacuum pulsed-electron beam technique (commercially known by the acronyms PED, Pulsed Electron Deposition or PPD, Pulsed Plasma Deposition). These films are used as absorber layers in thin-film photovoltaic cells, employed in solar concentrator systems based on spectral splitting. In particular the research activity will be focused in studying and defining the electron beam parameters (current, energy, discharge time, etc.) which maximize both electrical and optical properties of CIGS absorber layer. |
| Data del bando | 05/12/2011 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
Italy |
| Nazionalità dei candidati |
Italy |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/2045_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Importo annuale | 19367 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Comprende vitto e spese di viaggio | no |
| Comprende il costo della ricerca | no |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
- Laurea Magistrale in Fisica. - Comprovata esperienza nel campo della crescita di film sottili da elettroni pulsati. |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
-Master’s degree in Physics. -Proven experience in the field of thin film growth by pulsed electron beams. |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) |
VALUTAZIONE DEI TITOLI E DEL CURRICULUM, E COLLOQUIO SULLA MATERIA DELL’ASSEGNO |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | THE SELECTION WILL BE CARRIED OUT BY A COMMITTEE AND WILL BE BASED ON THE EVALUATION OF SCIENTIFIC TITLES AND CV, FOLLOWED BY AN INTERVIEW |
| Nome dell'Ente finanziatore | Consiglio Nazionale delle Ricerche - Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Parma |
| Codice postale | 43124 |
| Indirizzo | Parco Area delle Scienze 37/A |
| Sito web | http://www.imem.cnr.it |
| antonietta.secondulfo@cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 20/12/2011 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |