Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Sviluppo e Studio di Metodologie Innovative per la Crescita di Nanostrutture Epitassiali III-V su Silicio mediante Droplet Epitaxy |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Study and Development of Innovative Proceures for the Epitaxial Growth of III-V Nanostructures on Silicon by Droplet Epitaxy |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Surface physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/03 - FISICA DELLA MATERIA |
| Descrizione sintetica in italiano | l'attuale attività di ricerca è parte di un programma di ricerca, finalizzato allo sviluppo di percorso innovativo verso un detector multispettrale per radiazione infrarossa integrato monoliticamente su silicio. In particolare l'obiettivo del progetto è lo sviluppo di tecniche per la crescita epitassiale di semiconduttori nanostrutturati su silicio con procedure di fabbricazione CMOS compatibili. Il vincitore svilupperà tecniche di crescita avanzate per l'auto-assemblaggio di punti quantici GaAs / AlGaAs ad alta densità, possibilmente accoppiati con nanoparticelle metalliche plasmoniche, fabbricati tramite droplet epitaxy su Si. Il vincitore della posizione attuale deve avere: 1) un forte e ben documentata attività nello sviluppo di strategie innovative per la crescita di nanostrutture III-V; 2) documentata capacità di condurre un gruppo di ricerca; 3) documentata attività di trasferimento di competenze di ricerca verso i giovani studenti. |
| Descrizione sintetica in inglese | http://www.unimib.it/link/news.jsp?7636578790936407256 the present research activity is part of a Research Program, aimed at the development of innovative path towards multi-spectral infrared photodetector monolithically integrated on Silicon. In particular the project target is the development of techniques for the growth of nanostructured epitaxial semiconductors on Silicon with CMOS compatible fabrication procedures. The winner will develop advanced growth techniques for the self-assembly on GaAs/AlGaAs quantum dots at high density, possibly coupled with plasmonic metallic nanoparticles, fabricated via droplet epitaxy on on Si. The winner of the present position is expected to have: 1) a strong, well documented background in the development of innovative strategies for the growth of III-V nanostructures; 2) documented ability to lead a research group; 3) documented activity of research skill transfer towards young students. |
| Data del bando | 12/09/2014 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.unimib.it/link/news.jsp?7636578790936407256 |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) More Experienced researcher or >10 yrs (Senior) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi di Milano-Bicocca |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Milano |
| Sito web | http://www.unimib.it |
| bandi.assegni_borse@unimib.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 03/10/2014 - alle ore 00:00 |
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