Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Studio di transizioni metallo-isolante in diodi nanoelettronici contenenti calcogenuri e ossidi metallici |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Study of metal-insulator transitions in nanoelectron devices containing chalcogenides and metal oxides |
| Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | Lo studio riguarderà dispositivi basati su materiali calcogenuri e ossidi metallici con struttura amorfa o cristallina. L’obiettivo è la comprensione dell’andamento dei parametri di switching, inteso come transizione metallo-isolante, in funzione dell’area, dello spessore e del materiale attivo. Verranno presi in considerazione i principali parametri di switching, quali la tensione di soglia, la tensione di holding, e la corrente di sottosoglia. La stabilità dei parametri di switching in funzione del tempo verrà anche studiata mediante tecniche di stress accelerato. Dallo studio dei dati sperimentali verrà sviluppato un modello di switching capace di prevedere il comportamento di dispositivi a switching in varie condizioni sperimentali (tempo, temperatura, tensione applicata) e geometria del dispositivo. |
| Descrizione sintetica in inglese | The work will focus on devices based on metal oxides and chalcogenide materials with amorphous or crystalline structure. The purpose is the understanding of the evolution of typical parameters describing switching, namely the metal-insulator transition, as a function of area, thickness and active material. To this purpose, the main switching parameters such as threshold voltage, holding voltage and sub-threshold current, will be characterized. The stability of these parameters as a function of time will be studied through accelerated stress methods. Based on the study of experimental data, a physics-based model will be developed to predict the behavior of the switching devices for various experimental conditions (time, temperature, applied voltage) and for different device geometries. |
| Data del bando | 11/11/2014 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.polimi.it/lavora-con-noi/collaborazioni-di-ricerca/assegnidiricerca/ |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Elettronica, Informazione e Bioingegneria |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Milano |
| Sito web | http://www.dei.polimi.it |
| assegniricerca@polimi.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 29/12/2014 - alle ore 00:00 |
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| Come candidarsi | Other |