Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Architetture spin-optoelettroniche basate su composti del gruppo IV |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Spin optoElectronics ARCHitectures based on group IV compunds |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’obiettivo del programma di ricerca su cui lavorerà il candidato è la realizzazione di dispositivi per spin- optoelettronica basati su eterostrutture di semiconduttori del gruppo IV (Ge, SiGe), con l’obiettivo di realizzare fotorivelatori integrati di luce polarizzata circolarmente nel campo del visibile e del vicino infrarosso. Tale programma rientra nel progetto SEARCH IV – Spin optoElectronics ARCHitectures based on group IV compunds – finanziato dalla fondazione Cariplo (bando “Ricerca scientifica e tecnologica sui materiali avanzati 2013”). Il candidato si occuperà della realizzazione, per mezzo di tecniche di deposizione di film sottili (MBE, magnetron sputtering) e micro- e nano-fabbricazione (litografia ottica ed elettronica, ion milling), disponibili presso il dipartimento di Fisica dove l’attività avrà luogo, dei dispositivi spin-optoelettronici, ottimizzandone le prestazioni in termini di efficienza quantica e di rivelazione della luce polarizzata. |
| Descrizione sintetica in inglese | The goal of the research project on which the candidate will work is the realization of spin-optoelectronics devices based on semiconducting heterostructures of group IV (Ge, SiGe), aiming at realizing integrated photodetectors of circularly polarized light in the visible and near infrared ranges. This research program is granted by Fondazione Cariplo along the “Materials Science Call 2013” via the project SEARCH IV – Spin optoElectronics ARCHitectures based on group IV compunds-. The candidate will be involved in fabrication, by thin films deposition techniques (MBE, magnetron sputtering) and micro- and nano-fabrication tools (optical and electronic lithography, ion milling), available at Department of Physics where the main part of the activity will be carried on, of the spin-opto-electronics devices, aiming at optimizing their performances, i.e. the quantum efficiency and the efficieny in detecting the light polarization. |
| Data del bando | 17/11/2014 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.polimi.it/lavora-con-noi/collaborazioni-di-ricerca/assegnidiricerca/ |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
|---|---|
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | Per partecipare alla selezione, si prega di leggere il bando disponibile sul sito web: http://www.polimi.it/lavora-con-noi/collaborazioni-di-ricerca/assegnidiricerca/ |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | In order to participate in the selection, please read the notice of selection (“bando”) available at the following website: http://www.polimi.it/lavora-con-noi/collaborazioni-di-ricerca/assegnidiricerca/ |
| Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Fisica – Politecnico di Milano |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Milano |
| Sito web | http://www.polimi.it/; |
| assegniricerca@polimi.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
|---|
| Data di scadenza del bando | 30/12/2014 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |