Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | Processi di ricombinazione radiativa in buche quantiche multiple Ge/SiGe |
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| Titolo del progetto di ricerca in inglese | Radiative recombination processes in Ge/SiGe multiple quantum wells |
| Campo principale della ricerca | Physics |
| Sottocampo della ricerca | Solid state physics |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE |
| Descrizione sintetica in italiano | Le proprietà ottiche di etero strutture basate su Ge sono oggetto di intenso interesse, in quanto la vicinanza in energia di gap diretto e indiretto fornisce loro proprietà analoghe a quelle di sistemi a gap diretto. Il progetto di ricerca riguarda lo studio sperimentale di assorbimento ottico e fotoluminescenza di strati epitassiali di Ge/Si e di buche quantiche multiple di Ge/SiGe. In particolare, verranno considerati i seguenti aspetti: (1) studio di Ge drogato n e p; (2) determinazione delle energie di transizione in buche quantiche Ge/SiGe; (3) utilizzo di queste etero strutture in applicazion i fotoniche. I risultati di questa attività verranno confrontati con quelli di analisi complementari (XRD, AFM e TEM) effettuate da gruppi di ricerca con i quali sono attive collaborazioni consolidate. Il titolare dell’assegno verrà quindi inserito in una attività che prevede un’intensa collaborazione e frequenti contatti con gruppi di ricerca nazionali ed esteri. |
| Descrizione sintetica in inglese | http://www.unimib.it/link/news.jsp?5983789961243466105 The optical properties of Ge-based heterostructures are attracting great attention. The proximity of the Γ and L conduction band minima make these structures to exhibit many direct-gap-like characteristics. The research project will be devoted to the experimental study of optical absorption and photoluminescence of Ge/Si epitaxial layers and of Ge/SiGe multiple quantum wells. In particular, the following items will be considered : (1) study of n-type and p-type doped Ge; (2) determination of the transition energy in Ge/SiGe quantum wells; (3) study of the potential applications of these systems in photonic devices. The results of this activity will be compared with those of complementary analyses (XRD, AFM and TEM). The fellow will collaborate actively with other national and international teams. |
| Data del bando | 20/12/2011 |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
All |
| Nazionalità dei candidati |
All |
| Sito web del bando | http://www.unimib.it/link/news.jsp?5983789961243466105. |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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| Nome dell'Ente finanziatore | Università degli Studi Milano-Bicocca |
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| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Milano |
| Sito web | https://www.unimib.it |
| bandi.assegni_borse@unimib.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 09/01/2012 - alle ore 00:00 |
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