Bando per assegno di ricerca
Titolo del progetto di ricerca in italiano | Valutazione dei fenomeni parassiti in GaN HEMTs di potenza |
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Titolo del progetto di ricerca in inglese | Parassitic effect evaluation in power GaN HEMTs |
Settore Concorsuale | 09 - Ingegneria industriale e dell'informazione |
S.S.D | - |
Descrizione sintetica in italiano | L’attività di ricerca sarà mirata alla caratterizzazione dei fenomeni parassiti dovuti all’intrappolamento di carica nei dispositivi su nitruro di gallio (GaN HEMTs) per applicazioni di potenza. Inoltre verranno studiati i meccanismi che governano il breakdown in questi dispositivi per meglio capire come poter aumentare le prestazioni in termine di bloccaggio di corrente ad alte tensioni. Verranno sviluppati sistemi di misura adeguati per poter ottenere le informazioni necessarie per l’attività di ricerca sopra descritta. |
Descrizione sintetica in inglese | The research activities will be focussed to the characterization of parasitic phenomena due to the charge trapping in the gallium nitride based devices (GaN HEMTs) for power switching applications. Mechanisms that govern the breakdown in these devices will also be studied in order to better understand how to increase the performance in terms of blocking current at high voltages. Suitable measurement systems will also be developed in order to obtain the information necessary for the research described above. |
Data del bando | 02/02/2015 |
Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
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Paesi di residenza dei candidati |
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Nazionalità dei candidati |
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Sito web del bando | http://www.dei.unipd.it/bandi |
Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Early stage researcher or 0-4 yrs (Post graduate) |
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Nome dell'Ente finanziatore | Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione |
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Tipologia dell'Ente | Public research |
Paese dell'Ente | Italy |
Città | padova |
Sito web | http://www.dei.unipd.it |
gauss@dei.unipd.it |
L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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Data di scadenza del bando | 19/02/2015 |
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Come candidarsi | Other |