Torna ai risultati della ricercaBando per assegno di ricerca
| Titolo del progetto di ricerca in italiano | FIT “CIGS-Thin Film Preparazione di target per deposizioni mediante tecnica PED (Pulsed Electron Deposition) ottenuti per sintesi diretta e sintesi di nano strutture per sensoritstica di gas |
|---|---|
| Titolo del progetto di ricerca in inglese | FIT “CIGS-Thin Film Preparation of target, to be used for the Pulsed Electron Deposition (PED) technique, direct synthesis abd synthsis of nanostructures for gas sensing |
| Settore Concorsuale | 02 - Scienze fisiche |
| S.S.D | - |
| Descrizione sintetica in italiano | L’attività riguarderà lo studio, preparazione e caratterizzazione di materiali complessi (eventualmente metastabili) da ottenere per sintesi diretta da utilizzare come target per la deposizione di film sottili mediante tecnica PED (Pulsed Electron Deposition) e la sintesi di nano strutture di ossidi metallici per gas sensing. |
| Descrizione sintetica in inglese | The research activity deals with the study, preparation and characterization of complex materials, to be used as target for the thin film growth by using the PED (Pulsed Electron deposition) technique and the synthesis of metal oxide nanostructures for gas sensing. |
| Data del bando | 12/02/2015 |
| Numero di assegnazioni per anno | 1 |
| Stanziamento annuale (indicativo) | 22.000 |
| E' richiesta mobilità internazionale? | no |
| Paesi in cui può essere condotta la ricerca |
Italy |
| Paesi di residenza dei candidati |
Italy |
| Nazionalità dei candidati |
Italy |
| Sito web del bando | http://bandi.urp.cnr.it/doc-assegni/documentazione/5583_DOC_IT.pdf |
| Destinatari dell'assegno di ricerca (of target group) |
Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc) |
|---|---|
| Il contratto prevede la copertura delle prestazioni sociali? | no |
| Importo annuale | 22.000 |
| Valuta | Euro |
| Comprende lo stipendio dell'assegnista | yes |
| Massima durata dell'assegno (mesi) | 12 |
| Criteri di selezione in italiano (breve descrizione) |
-diploma di laurea in Fisica o Scienza dei Materiali conseguito secondo la normativa in vigore anteriormente al D.M. 509/99, oppure Laurea Specialistica/Magistrale (D.M. 5 maggio 2004) e curriculum professionale idoneo allo svolgimento di attività di ricerca -dottorato in Fisica o Scienza dei Materiali -Almeno 3 anni di esperienza lavorativa nelle sintesi di materiali ossidi o semiconduttori, |
| Criteri di selezione in inglese (breve descrizione) |
-Degree in Physics, Materials of Science obtained in accordance with the legislation in force before Ministerial Decree DM 509/99 or Degree of II level / Master (Ministerial Decree DM May 5, 2004) -PhD in Physics or Materials Science -At least 3 years of work experience in the synthesis of oxide materials or semiconductors, |
| Processo di selezione in italiano (breve descrizione) | valutazione della competenza specifica sulla materia, colloquio sull’argomento dell’assegno e valutazione dei titoli e del curriculum. |
| Processo di selezione in inglese (breve descrizione) | the selection will be carried out by a committee and will be based on the evaluation an interview on the specific competence and experience in the scientific field of the grant, evaluation of the cv. |
| Nome dell'Ente finanziatore | Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - CNR |
|---|---|
| Tipologia dell'Ente | Public research |
| Paese dell'Ente | Italy |
| Città | Parma |
| Codice postale | 43124 |
| Indirizzo | Parco Area delle Scienze 37/a |
| Sito web | http://www.imem.cnr.it |
| segreteria-imem@imem.cnr.it |
| L'assegno finanziato/cofinanziato attraverso un EU Research Framework Programme? | No |
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| Data di scadenza del bando | 02/03/2015 - alle ore 00:00 |
|---|---|
| Come candidarsi | Other |