Descrizione posizione

Titolo del progetto di ricerca in italiano	Studio e modellazione di dispositivi di potenza in GaN in condizioni di funzionamento normale ed in cortocircuito per applicazioni in convertitori di potenza.
Titolo del progetto di ricerca in inglese	Study and modeling of GaN power devices under normal and short-circuit operating conditions for applications in power converter
Descrizione sintetica in italiano	L’attività sarà incentrata sullo studio dei transistor in Nitruro di Gallio e il loro utilizzo in convertitori elettronici di potenza per applicazioni ad alta efficienza ed affidabilità. Particolare attenzione sarà dedicata alla modellistica dei dispositivi in GaN, tramite caratterizzazioni sperimentali e simulazioni ad elementi finiti, sia in condizioni di funzionamento normale che in condizioni di elevato stress elettrotermico, come accade in cortocircuito. Lo sviluppo di un modello consentirà simulazioni più accurate dei dispositivi quando essi vengono inglobati in convertitori di potenza.L’obiettivo finale sarà quello di realizzare un prototipo di convertitore basato su dispositivi in GaN che implementi la funzione di protezione dal sovraccarico e dal cortocircuito per applicazioni nel fotovoltaico e nei veicoli elettrici
Descrizione sintetica in inglese	The activity will study Gallium Nitride transistors and their use in power electronic converters for high-efficiency and reliability applications. Particular attention will be devoted to modeling GaN devices through experimental characterizations and finite element simulations, both under normal operating conditions and under conditions of high electrothermal stress, as occurs in short-circuit. The development of a model, whether analytical or behavioral, will help perform more accurate simulations of the devices when they are incorporated into power converter simulations. In addition, the derivation of a model can facilitate the development of a short-circuit protection circuit, which is a substantial limitation for these devices. The goal will be to design a converter prototype based on GaN devices that implements the overload and short-circuit protection functions for applications in photovoltaics and electric vehicles
Numero posti	1
Settore Concorsuale	09/E3 - ELETTRONICA
S.S.D	ING-INF/01 - ELETTRONICA
Destinatari del bando (of target group)	Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc)
Data del bando	07/07/2023

 

FP7 / PEOPLE / Marie Curie Actions

Research Framework Programme / Marie Curie Actions	No

 

Dettagli dell'impiego

Tipo di contratto	Other
Tempo	Other
Organizzazione/Ente	Università degli Studi di Cassino e del Lazio meridionale
Paese (dove si svolgerà l'attività)	ITALY
Stato/Provincia	Frosinone
Città	Cassino
Codice postale	03043
Indirizzo	Via Gaetano Di Biasio, 43

 

Contatto presso l'Organizzazione/Ente

Organizzazione/Ente	Università degli Studi di Cassino e del Lazio meridionale
Tipo	Academic
Paese	ITALY
Stato/Provincia	Frosinone
Città	Cassino
Codice postale	03043
Indirizzo	Viale dell'Università
E-mail	m.norcia@unicas.it
Sito web	http://www.unicas.it

 

Dettagli per la candidatura

Data di scadenza del bando	26/07/2023 - alle ore 23:59
Come candidarsi	Other

 

Titoli di studio richiesti

Laurea	PhD or equivalent
Ambito della laurea	Engineering

 

Esperienze di ricerca richieste

Campo principale della ricerca	Engineering
Sottocampo della ricerca
Anni di esperienza richiesti	4

 

Lingue richieste

Lingua	ENGLISH
Livello di conoscenza della lingua	Good