Descrizione posizione

Titolo del progetto di ricerca in italiano	Crescita e caratterizzazione di nanostrutture a base Si e Ge per applicazioni di micro e optoelettronica.
Titolo del progetto di ricerca in inglese	Growth and characterization of nanostructures based on Si and Ge for micro- and opto-electronic applications
Descrizione sintetica in italiano	Obiettivo del progetto è la realizzazione di dispositivi innovativi (i.e., FET a canali sotto sforzi, rivelatori e sorgenti di onde elettromagnetiche nell’infrarosso). Si affronteranno le seguenti tematiche i) questioni fondamentali legate alla formazione di etero- e nano-strutture SiGe (sforzi relativi alla differenza dei parametro reticolare e dei coefficienti di espansione termica, interdiffusione, segregazione, rilassamento elastico e plastico), e loro studio mediante diffrazione a raggi X usando sorgenti del laboratorio e luce di sincrotrone, e spettroscopia Raman; ii) ottimizzazione delle tecniche di deposizione in vuoto (ruolo dei gas precursori e della temperatura); iii) allineamento delle bande e confinamento di elettroni e lacune; iv) mobilità dei portatori e meccanismi di diffusione; v) proprietà ottiche di buche quantiche; vi) strutture SiGe a cascata quantistica. E’ inoltre prevista un’attività di coordinamento di tesisti e studenti di dottorato.
Descrizione sintetica in inglese	The project aims to the realization of innovative devices (i.e., strained-channel FET, detectors and emitters of electromagnetic radiation in the IR range). The following issues will be addressed: i) basic issues related to the formation of SiGe hetero- and nano-structures (strain related to lattice and thermal mismatch, interdiffusion, segregation, elastic and plastic relaxation), studied by X-ray diffraction using laboratory and synchrotron sources, and Raman spectroscopy; ii) optimization of vacuum deposition techniques (precursor gases employed, role of the temperature); iii) band alignment and electron/hole confinement; iv) carrier mobility and scattering mechanisms; v) optical properties of quantum wells; vi) quantum cascade SiGe structures. Coordination activities of undergraduate and PhD students is also foreseen
Numero posti	1
Settore Concorsuale	02/B1 - FISICA SPERIMENTALE DELLA MATERIA
S.S.D	FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE
Destinatari del bando (of target group)	Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc)
Data del bando	07/10/2013

 

FP7 / PEOPLE / Marie Curie Actions

Research Framework Programme / Marie Curie Actions	No

 

Dettagli dell'impiego

Tipo di contratto	Temporary
Tempo	Full-time
Ore settimanali
Organizzazione/Ente	Politecnico di Milano
Paese (dove si svolgerà l'attività)	ITALY
Città	Milano

 

Contatto presso l'Organizzazione/Ente

Organizzazione/Ente	Politecnico di Milano
Tipo	Academic
Paese	ITALY
Stato/Provincia	MI
Città	Milano
Codice postale	20133
Indirizzo	Piazza Leonardo Da Vinci 32
E-mail	concorsi@polimi.it
Sito web	http://www.polimi.it/lavora-con-noi/personale-docente/bandiperiricercatori/concorsiatempodeterminato/

 

Dettagli per la candidatura

Data di scadenza del bando	21/12/2013 - alle ore 23:59
Come candidarsi	Other

 

Titoli di studio richiesti

Laurea	Master Degree or equivalent
Ambito della laurea	Other
Laurea	PhD or equivalent
Ambito della laurea	Other

 

Esperienze di ricerca richieste

Campo principale della ricerca	Engineering
Sottocampo della ricerca
Anni di esperienza richiesti	5
Campo principale della ricerca	Physics
Sottocampo della ricerca
Anni di esperienza richiesti	5

 

Lingue richieste

Lingua	ENGLISH
Livello di conoscenza della lingua	Excellent