Descrizione posizione

Titolo del progetto di ricerca in italiano	Crescita epitassiale di silicio e silicio-germanio su substrati micro-strutturati e fabbricazione di dispositivi per la rivelazione di luce nel vicino e medio infrarosso - fis13
Titolo del progetto di ricerca in inglese	Epitaxial growth of germanium and silicon-germanium on patterned silicon substrates and fabrication of photo-detectors for near and mid infrared - FIS13
Descrizione sintetica in italiano	Il progetto mira allo sfruttamento della crescita epitassiale di Ge, SiGe e di eterostrutture di SiGe su substrati di silicio micro-strutturato con due obiettivi principali: (a) controllo del rilassamento elastico e della nucleazione / annichilazione dei difetti cristallini durante la crescita epitassiale su substrati micro-strutturati; (b) fabbricazione di fotorivelatori, possibilmente con sensibilità al singolo fotone, operanti nel vicino e medio infrarosso. La crescita epitassiale verrà eseguita mediante CVD assistita da plasma a bassa energia. Gli epistrati saranno caratterizzati tramite diffrazione di raggi X, microscopia elettronica e a forza atomica e spettroscopia ottica. La fabbricazione dei dispositivi si baserà su litografia ottica e attacchi chimici anche in fase plasma. I dispositivi fabbricati saranno caratterizzati mediante misure elettriche (corrente-tensione e effetto Hall) e misure di fotocorrente
Descrizione sintetica in inglese	The project aims at the exploitation of epitaxial growth of Ge, SiGe and SiGe heterostructures on patterned silicon substrates with two main objectives: (a) control of strain relaxation and crystal defects nucleation/annihilation during epi-growth on patterned substrates; (b) fabrication of photodetectors, possibly with single-photon sensitivity, operating in the near and mid infrared. The epitaxial growth will be performed by low-energy plasma-enhanced CVD. The epilayers will be characterized by X-Ray diffraction, electronic and atomic force microscopy and optical spectroscopy. Device fabrication will rely on optical lithography and wet/dry etching. The fabricated devices will be characterized by means of electrical (current-voltage and Hall effect) measurements and photocurrent measurements.
Numero posti	1
Settore Concorsuale	02/B1 - FISICA SPERIMENTALE DELLA MATERIA
S.S.D	FIS/01 - FISICA SPERIMENTALE
Destinatari del bando (of target group)	Experienced researcher or 4-10 yrs (Post-Doc)
Data del bando	02/02/2018

 

FP7 / PEOPLE / Marie Curie Actions

Research Framework Programme / Marie Curie Actions	H2020
Marie Curie Job Reference Number	766955
SESAM Agreement Number	766955

 

Dettagli dell'impiego

Tipo di contratto	Temporary
Tempo	Full-time
Ore settimanali
Organizzazione/Ente	POLITECNICO DI MILANO
Paese (dove si svolgerà l'attività)	ITALY
Città	MILANO

 

Contatto presso l'Organizzazione/Ente

Organizzazione/Ente	POLITECNICO DI MILANO
Tipo	Academic
Paese	ITALY
Città	MILANO
Indirizzo	Piazza Leonardo Da Vinci 32
E-mail	concorsi@polimi.it
Sito web	https://www.polimi.it/docenti-e-staff/bandi-e-concorsi/bandi-e-concorsi-per-ricercatori/concorsi-a-tempo-determinato/

 

Dettagli per la candidatura

Data di scadenza del bando	03/04/2018
Come candidarsi	Other

 

Titoli di studio richiesti